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    HVPE生长自支撑GaN技术研究

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    HVPE生长自支撑GaN技术研究

    U D c 5箜密级编号Y 兰壹理王态堂lQ。学科专业名称及代码 塑堡血王堂鲤 2研冗方向 堂直王量鲞复廛旦 申请学位级别 亟指导教师 睦堡垩塾援 研 究 生 奎俊论文起止时问 22鲤8 1 12摘 要随着半导体材料的发展,以光和白光波长激光器,紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用,但高位错密度高的位错密度又是由于异质外延引起的。为了实现而实现高质量大尺寸的们正在通过各种方法实现自支撑论文工作主要以制备自支撑别对质量厚膜支撑过计算证实晶格失配和热胀失配是异质外延过腐蚀法用对位错密度进行了估算,对低位错密度高质量错性质及遇到的相关物理问题和工艺进行了研究。结合激光剥离技术与生长技术获得了一定面积的厚膜自支撑键词氢化物气相外延法 自支撑of of by aNIIof aN in of VaN on nd hi.gh o aN aN to of aN,of aN aN of aN y it in y of in

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